二极管产品已经跟我们的生活有着密不可分的联系了， 深圳二极管做的厂家有很多， 其中包括长电、乐山、君耀、SUNMATE森美特，深圳冠荣电子主要代理销售SUNMATE森美特品牌:TVS瞬态抑制二极管、稳压管、MOS管 桥堆、肖特基整流二极管全系列产品。二极管从正率领通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中插手一个以下图所示的输入电压。在―t时刻内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流利通。设VD为二极管正向压降（硅管为.V摆布），当VF弘远于VD时，VD可略去不计，则在t时，V倏忽从+VF酿成-VR。在理想气象下?，二极管将马上转为截止，电路中应只有很小的反向电流。但现实气象是，二极管其实不马上截止，而是先由正向的IF变到一个很除夜的反向电流IR=VR／RL，这个电流连结一段时刻tS后才最早慢慢下降，再经由tt后?，下降到一个很小的数值.IR，这时辰二极管才进人反向截止状况，以下图所示。凡是把二极管从正率领通转为反向截止所经由的转换过程称为反向恢复过程。其中tS称为存储时刻，tt称为渡越时刻，tre=ts+tt称为反向恢复时刻。???因为反向恢复时刻的存在，使二极管的开关速度遭到限制。?发生反向恢复过程的启事——电荷存储效应?发生上述现象的启事是因为二极管外加正向电压VF时，载流子不竭分手而存储的功能。当外加正向电压时Ｐ区空穴向Ｎ分辩散，Ｎ区电子向Ｐ分辩散，这样，不单使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数目标存储，在Ｐ区内存储了电子，而在Ｎ区内存储了空穴?，它们都长短平衡少数载流于，以下图所示。空穴由Ｐ分辩散到Ｎ区后，其实不是当即与Ｎ区中的电子复合而磨灭踪，而是在必定的旅程LP（分手长度）内，一方面继续分手，一方面与电子复合磨灭踪，这样就会在LP规模内存储必定数方针空穴，并成立起必定空穴浓度分布，接近结边缘的浓度最除夜，离结越远，浓度越小?。正向电流越除夜，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越除夜。电子分手到Ｐ区的气象也近似，下图为二极管中存储电荷的分布。我们把正率领通时，非平衡少数载流子堆集的现象叫做电荷存储效应。当输入电压倏忽由+VF酿成-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上磨灭踪，但它们将经由过程以下两个道路慢慢削减：①?在反向电场浸染下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，组成反向漂移电流IR，以下图所示；②与除夜都载流子复合。?在这些存储电荷磨灭踪之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL对比可以轻忽，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）RL。VD暗示ＰＮ结两头的正向压降，一般 VRVD，即 IR＝VR／RL。在这段时代，IR根底上连结不变，首要由VR和RL所抉择。经由时刻ts后Ｐ区和Ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区慢慢变宽，反向电流IR慢慢减小到正常反向饱和电流的数值，经由时刻tt，二极管转为截止。? ?由上可知，二极管在开关转换过程中闪现的反向恢复过程，素质上因为电荷存储效应激发的，反向恢复时刻就是存储电荷磨灭踪所需要的时刻。二极管和一般开关的不合在于,“开”与“关”由所加电压的极性抉择, 而且“开”态有藐小的压降V f,“关”态有藐小的电流i。当电压由正向酿成反向时, 电流其实不马上成为(- i) , 而是在一段时刻ts 内, 反向电流始终很除夜, 二极管其实不关断。经由ts后, 反向电流才慢慢变小, 再经由tf 时刻, 二极管的电流才成为(- i) , ts 称为储存时刻, tf 称为下降时刻。tr= ts+ tf 称为反向恢复时刻, 以上过程称为反向恢复过程。这现实上是由电荷存储效应激发的, 反向恢复时刻就是存储电荷耗尽所需要的时刻。该过程使二极管不能在快速延续脉冲下算作开关操作。假定反向脉冲的延续时刻比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关浸染。 本文章来自 深圳冠荣电子有限公司 编辑 ：关生 联系电话：17722503495
官方网址：http://www.tvs-gr.com/ 转发请注明
联系我时，请说是在老客网上看到的，谢谢！